半导体晶圆划片废水处理案例|半导体晶圆划片废水处理方法
新项目时代背景
该类目地处长三边形各地某部委级半导体材料高新产业苑区,企业公司最主要的产出8寸大和12寸大晶圆,东风日产量以达到2万片。随生产专业能力上升,增加了的焦化废水整理模式已始终无法 考虑环保型标准要求,现需自动升级加工。投资者项目总投资者约1五百万元,定制整理专业能力为300吨/日,于202一年完工投用。
电镀废水物质及来源地
该公司晶圆划区工艺流程造成的废水处理常见含有以内化学成分:
水刀切割过程中中的使用的抛光液留下物,重点组成成分为二氧化物硅粒子、外层亲水性剂和有机的填加剂
晶圆界面冲洗引发的含氟焦化废水,氟阳离子密度在80-120mg/L
一点高价属铝离子如铜、镍等,渠道于切割机平台有损坏
有机酸相转移催化剂残余,也包括异丙醇、二甲苯等
pH值价格波动比较大,通常情况下在4-10当中
处里工艺设计程序
面向废气性,设计构思主要包括"化学预正确补救+生化模式正确补救+长度正确补救"的組合新工艺:
调理池
:均等化水质量排水量,装置pH线监测站和自动化投加药剂系统软件
混泥土放置
:添加PAC和PAM,除掉浮窗物和电解质溶液的物质
气浮单无
:通过溶气气浮鑫霖环保进的一步快速清理狗瘟颗粒状和环节可挥发物
生化模式处置
:选用MBR膜怪物影响器,活性污泥浓度值稳定在8000-10000mg/L
深层次加工处理
:活力性炭吸+超滤性鑫霖环保,切实保障出水量合格
淤泥加工
:板框设备脱水烘干,污水含水分率高于60%接下来
办理效用
整体稳定性执行后,水流水体彻底高达《电子厂化学工业水感染物排放标准量准则》(GB39731-2020)特别排放标准量卫生防护距离条件:
COD<30mg/L
氟正离子<5mg/L
浮悬物<10mg/L
高价属杜六房加盟总部的指标体系均降到规定值
业务一年可削减危害物排污量约COD 32吨、氟化物8.5吨,回收水率满足75%及以上,为公司企业避免浪费电费拨出约130万元/年。